BSC050N03LSGATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-5
Número do produto base	BSC050
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	18A (Ta), 80A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Outros nomes	BSC050N03LSGINCT BSC050N03LS G SP000269785 BSC050N03LSGATMA1INACTIVE BSC050N03LSG BSC050N03LS G-ND BSC050N03LSGATMA1TR BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC050N03LSGXT BSC050N03LSGINDKR BSC050N03LSGINTR-ND Q3390169A BSC050N03LSGINTR BSC050N03LSGINCT-ND BSC050N03LS GINACTIVE-ND BSC050N03LSGINDKR-ND BSC050N03LSGATMA1CT BSC050N03LSGATMA1DKR

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