NTD4302T4G
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2290311-NTD4302T4G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTD4302T4G
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Número do produto base | NTD4302 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta), 68A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 24 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.04W (Ta), 75W (Tc) | |
| Outros nomes | NTD4302T4GOSCT NTD4302T4GOS-ND NTD4302T4GOSTR NTD4302T4GOS =NTD4302T4GOSCT-ND NTD4302T4GOSDKR 2156-NTD4302T4G-OS ONSONSNTD4302T4G |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- IPD40N03S4L08ATMA1Infineon Technologies
- IPD090N03LGATMA1Infineon Technologies
- FDD8876onsemi
- BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.
- NTD4860NT4Gonsemi





