IXTK170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Número da pe?a NOVA:
312-2263617-IXTK170P10P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTK170P10P
Embalagem padr?o:
25
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 170A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-264 (IXTK) | |
| Número do produto base | IXTK170 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PolarP™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 170A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-264-3, TO-264AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12600 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 890W (Tc) |
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