CXDM1002N TR PBFREE
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Número da pe?a NOVA:
312-2290672-CXDM1002N TR PBFREE
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CXDM1002N TR PBFREE
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-89 | |
| Número do produto base | CXDM1002 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-243AA | |
| Vgs (Máx.) | 20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.2W (Ta) | |
| Outros nomes | CXDM1002N DKR CXDM1002N TR LEAD FREE 1514-CXDM1002NTRPBFREETR CXDM1002N CT CXDM1002N TR 1514-CXDM1002NTRPBFREEDKR CXDM1002N DKR-ND 1514-CXDM1002NTRPBFREECT CXDM1002NTR-ND CXDM1002NCT CXDM1002NCT-ND CXDM1002N CT-ND CXDM1002NDKR CXDM1002NTR CXDM1002N TR-ND CXDM1002NDKR-ND |
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