SPD04N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2263214-SPD04N80C3ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SPD04N80C3ATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
| Número do produto base | SPD04N80 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) | |
| Outros nomes | SPD04N80C3ATMA1TR SPD04N80C3ATMA1DKR SP001117768 SPD04N80C3ATMA1CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon Technologies
SPD06N80C3ATMA1Infineon Technologies
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon Technologies- IPD60R180P7SAUMA1Infineon Technologies
IPD80R280P7ATMA1Infineon Technologies