IRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2294406-IRF9Z34NSTRRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF9Z34NSTRRPBF
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | IRF9Z34 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 19A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 55 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-IRF9Z34NSTRRPBFCT SP001551716 448-IRF9Z34NSTRRPBFTR 448-IRF9Z34NSTRRPBFDKR IRF9Z34NSTRRPBF-ND |
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