IRFD9110
0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Número da pe?a NOVA:
312-2265445-IRFD9110
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFD9110
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| Número do produto base | IRFD9110 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) | |
| Outros nomes | 2156-IRFD9110 HARHARIRFD9110 |
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