SSM6K781G,LF
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Número da pe?a NOVA:
312-2271621-SSM6K781G,LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM6K781G,LF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 12 V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-WCSPC (1.5x1.0) | |
| Número do produto base | SSM6K781 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-UFBGA, WLCSP | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Outros nomes | SSM6K781G,LF(S SSM6K781GLFDKR SSM6K781GLFCT SSM6K781GLFTR |
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