BSP316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Número da pe?a NOVA:
312-2264302-BSP316PH6327XTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSP316PH6327XTSA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT223-4 | |
| Número do produto base | BSP316 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | SIPMOS® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 680mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 170µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 146 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) | |
| Outros nomes | BSP316PH6327XTSA1DKR SP001058754 BSP316PH6327XTSA1CT BSP316PH6327XTSA1TR |
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