CSD19538Q2
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
Número da pe?a NOVA:
312-2281166-CSD19538Q2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CSD19538Q2
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 14.4A (Ta) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-WSON (2x2) | |
| Número do produto base | CSD19538 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | NexFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 14.4A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | |
| Outros nomes | CSD19538Q2-ND 296-47322-6 296-47322-1 296-47322-2 |
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