IRF630

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MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2263562-IRF630

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRF630

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 200 V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	STMicroelectronics
RoHS	1
Temperatura de operação	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220
Número do produto base	IRF6
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	MESH OVERLAY™ II
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	75W (Tc)
Outros nomes	497-2757-5 497-2757-5-NDR