FDP61N20
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Número da pe?a NOVA:
312-2289054-FDP61N20
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDP61N20
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 61A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220-3 | |
| Número do produto base | FDP61 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | UniFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 61A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 417W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-FDP61N20-OS |
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