IPD70N10S312ATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-11
Número do produto base	IPD70N10
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4355 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Outros nomes	IPD70N10S312ATMA1DKR IPD70N10S3-12-ND IPD70N10S3-12CT IPD70N10S3-12DKR-ND IPD70N10S312 IPD70N10S3-12TR-ND IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12CT-ND IPD70N10S312ATMA1TR SP000427248 IPD70N10S3-12DKR IPD70N10S3-12TR IPD70N10S312ATMA1CT

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