IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2296302-IPD50P04P413ATMA2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD50P04P413ATMA2
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3-313 | |
| Número do produto base | IPD50P04 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS®-P2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3670 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 58W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-IPD50P04P413ATMA2DKR 448-IPD50P04P413ATMA2CT SP002319830 448-IPD50P04P413ATMA2TR |
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