FDC642P
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Número da pe?a NOVA:
312-2280915-FDC642P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDC642P
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SuperSOT™-6 | |
| Número do produto base | FDC642 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 925 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Outros nomes | FDC642PCT ONSONSFDC642P FDC642P-ND 2156-FDC642P-OS FDC642PDKR FDC642PTR |
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