IRFH8334TRPBF

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PQFN (5x6)
Número do produto base	IRFH8334
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	14A (Ta), 44A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1180 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	3.2W (Ta), 30W (Tc)
Outros nomes	IRFH8334TRPBFTR IRFH8334TRPBFDKR SP001577860 IRFH8334TRPBFCT

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