IPN95R2K0P7ATMA1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-SOT223
Número do produto base	IPN95R2
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ P7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 80µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	950 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	7W (Tc)
Outros nomes	IPN95R2K0P7ATMA1DKR SP001821834 IPN95R2K0P7ATMA1TR IPN95R2K0P7ATMA1CT

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!