BSC014NE2LSIATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-7
Número do produto base	BSC014
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	33A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 12 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 74W (Tc)
Outros nomes	BSC014NE2LSIATMA1TR BSC014NE2LSIDKR BSC014NE2LSICT-ND BSC014NE2LSITR-ND SP000911336 BSC014NE2LSI-ND INFINFBSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1CT BSC014NE2LSICT BSC014NE2LSIDKR-ND 2156-BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1DKR

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