SSM3J331R,LF
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Número da pe?a NOVA:
312-2264609-SSM3J331R,LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM3J331R,LF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23F | |
| Número do produto base | SSM3J331 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-3 Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) | |
| Outros nomes | SSM3J331RLF(TCT-ND SSM3J331R,LF(T SSM3J331RLFDKR SSM3J331RLF(TTR SSM3J331RLF(TDKR SSM3J331RLF(TTR-ND SSM3J331RLF(TCT SSM3J331R,LF(B SSM3J331RLF(TDKR-ND SSM3J331RLFCT SSM3J331RLFTR SSM6J414TU,LF(A SSM3J331RLF |
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