RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2272872-RD3T100CNTL1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RD3T100CNTL1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252 | |
| Número do produto base | RD3T100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 85W (Tc) | |
| Outros nomes | RD3T100CNTL1CT RD3T100CNTL1DKR RD3T100CNTL1TR |
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