PSMN8R5-100PSQ
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2291152-PSMN8R5-100PSQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PSMN8R5-100PSQ
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
| Número do produto base | PSMN8R5 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5512 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 263W (Tc) | |
| Outros nomes | 934067376127 1727-1053 568-10160-5-ND PSMN8R5100PSQ 568-10160-5 |
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