SPP18P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Número da pe?a NOVA:
312-2288757-SPP18P06PHXKSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SPP18P06PHXKSA1
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO220-3 | |
| Número do produto base | SPP18P06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | SIPMOS® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 18.7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 81.1W (Ta) | |
| Outros nomes | SPP18P06P G-ND IFEINFSPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P H SPP18P06PH 2156-SPP18P06PHXKSA1 SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P H-ND |
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