SSM6K217FE,LF
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Número da pe?a NOVA:
312-2264807-SSM6K217FE,LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM6K217FE,LF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | ES6 | |
| Número do produto base | SSM6K217 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 1A, 8V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.2 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-563, SOT-666 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | SSM6K217FELFCT SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FELFTR SSM6K217FELFDKR |
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