NVB082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Número da pe?a NOVA:
312-2361499-NVB082N65S3F
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVB082N65S3F
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK-3 (TO-263-3) | |
| Número do produto base | NVB082 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3410 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 313W (Tc) | |
| Outros nomes | NVB082N65S3FOSDKR NVB082N65S3FOSCT NVB082N65S3F-ND NVB082N65S3FOSTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NVB072N65S3onsemi
STB43N65M5STMicroelectronics- STB57N65M5STMicroelectronics
NTB082N65S3Fonsemi- NTB095N65S3HFonsemi
