SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Número da pe?a NOVA:
312-2281483-SIR870ADP-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIR870ADP-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número do produto base | SIR870 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2866 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Outros nomes | SIR870ADP-T1-GE3TR SIR870ADP-T1-GE3CT SIR870ADP-T1-GE3DKR SIR870ADPT1GE3 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
LT6657BHMS8-5#PBFAnalog Devices Inc.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
TLV1704AIPWRTexas Instruments
TPS3422EGDRYTTexas Instruments
SIR870DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR870ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SIR846DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BZT52C15T-7Diodes Incorporated
FDMS86101DConsemi
