IXTQ52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Número da pe?a NOVA:
312-2264648-IXTQ52P10P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTQ52P10P
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-3P | |
| Número do produto base | IXTQ52 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PolarP™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 52A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2845 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
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