FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Número da pe?a NOVA:
312-2285244-FQT1N80TF-WS
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FQT1N80TF-WS
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223-3 | |
| Número do produto base | FQT1N80 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | QFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Tc) | |
| Outros nomes | FQT1N80TF_WSTR-ND FQT1N80TF_WSCT FQT1N80TF-WSDKR FQT1N80TF_WSDKR FQT1N80TF_WSTR FQT1N80TF-WSCT FQT1N80TFWS FQT1N80TF_WSDKR-ND FQT1N80TF-WSTR FQT1N80TF_WSCT-ND |
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