IRF8010STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2263586-IRF8010STRLPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF8010STRLPBF
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | IRF8010 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3830 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 260W (Tc) | |
| Outros nomes | IRF8010STRLPBFTR IRF8010STRLPBFDKR IRF8010STRLPBFCT IRF8010STRLPBF-ND SP001565774 |
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