CSD17575Q3T
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Número da pe?a NOVA:
312-2288181-CSD17575Q3T
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CSD17575Q3T
Embalagem padr?o:
250
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | |
| Número do produto base | CSD17575 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | NexFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4420 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 108W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-CSD17575Q3T 296-37961-6 296-37961-1 296-37961-2 TEXTISCSD17575Q3T |
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