AOTF11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
Número da pe?a NOVA:
312-2291976-AOTF11S65L
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
AOTF11S65L
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220F | |
| Número do produto base | AOTF11 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | aMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 31W (Tc) | |
| Outros nomes | AOTF11S65L-ND 785-1517-5 |
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