SI8457DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Número da pe?a NOVA:
312-2292207-SI8457DB-T1-E1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI8457DB-T1-E1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 6.5A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) | |
| Número do produto base | SI8457 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 8 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-UFBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Outros nomes | SI8457DB-T1-E1DKR SI8457DB-T1-E1CT SI8457DB-T1-E1TR |
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