BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2288013-BSC0901NSIATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC0901NSIATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-6 | |
| Número do produto base | BSC0901 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC0901NSI BSC0901NSICT BSC0901NSIATMA1DKR BSC0901NSIDKR BSC0901NSIATMA1TR BSC0901NSITR-ND BSC0901NSIATMA1CT SP000819818 BSC0901NSIDKR-ND BSC0901NSICT-ND BSC0901NSI-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
BSC0500NSIATMA1Infineon Technologies
TPS2052BDRTexas Instruments
74LVC1G14SE-7Diodes Incorporated- BSC0901NSATMA1Infineon Technologies
AONR21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.
