LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Número da pe?a NOVA:
312-2272490-LND150N3-G-P003
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
LND150N3-G-P003
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92-3 | |
| Número do produto base | LND150 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Recurso FET | Depletion Mode | |
| Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 500 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 740mW (Ta) | |
| Outros nomes | LND150N3-G-P003CT LND150N3-G-P003-ND LND150N3-G-P003TR LND150N3-G-P003DKR-ND LND150N3-G-P003DKRINACTIVE LND150N3-G-P003DKR |
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