FQPF33N10L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Número da pe?a NOVA:
312-2274930-FQPF33N10L
Número da pe?a do fabricante:
FQPF33N10L
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220F-3
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesQFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-220-3 Full Pack
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1630 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 41W (Tc)
Outros nomes2156-FQPF33N10L
FAIFSCFQPF33N10L

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