NTLJS17D0P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2285483-NTLJS17D0P03P8ZTAG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTLJS17D0P03P8ZTAG
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 7A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-PQFN (2x2) | |
| Número do produto base | NTLJS17 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 860mW (Ta) | |
| Outros nomes | NTLJS17D0P03P8ZTAGOSTR NTLJS17D0P03P8ZTAGOSCT NTLJS17D0P03P8ZTAGOSDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemi
DMP3028LFDE-13Diodes Incorporated
SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM6J507NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
FDMA6676PZonsemi- DMP3026SFDE-7Diodes Incorporated