BSO080P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Número da pe?a NOVA:
312-2288470-BSO080P03SHXUMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSO080P03SHXUMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-DSO-8 | |
| Número do produto base | BSO080 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12.6A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 136 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5890 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.79W (Ta) | |
| Outros nomes | SP000613798 BSO080P03S HCT BSO080P03SH BSO080P03SHXUMA1CT BSO080P03S H-ND BSO080P03SHXUMA1TR BSO080P03S HDKR-ND BSO080P03SHXUMA1DKR BSO080P03S HCT-ND BSO080P03S HTR-ND BSO080P03S HDKR BSO080P03S H |
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