G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Número da pe?a NOVA:
312-2263417-G3R350MT12J
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
G3R350MT12J
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263-7 | |
| Número do produto base | G3R350 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | G3R™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 2mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 334 pF @ 800 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 75W (Tc) | |
| Outros nomes | 1242-G3R350MT12J |
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