DMN2011UFDE-7

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	U-DFN2020-6 (Type E)
Número do produto base	DMN2011
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	11.7A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	6-PowerUDFN
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2248 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	610mW (Ta)
Outros nomes	DMN2011UFDE-7DIDKR DMN2011UFDE-7DITR DMN2011UFDE-7DICT

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