FQB34P10TM

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MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Número da pe?a NOVA:

312-2273631-FQB34P10TM

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FQB34P10TM

Embalagem padr?o:

800

Ficha técnica:

P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D²PAK (TO-263)
Número do produto base	FQB34P10
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	QFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	33.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2910 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	3.75W (Ta), 155W (Tc)
Outros nomes	FQB34P10TM-ND FQB34P10TMTR FQB34P10TMCT 2156-FQB34P10TM-OS FQB34P10TMDKR ONSONSFQB34P10TM