IRFH8202TRPBF
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2294532-IRFH8202TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFH8202TRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 25 V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número do produto base | IRFH8202 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 47A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 25 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7174 pF @ 13 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) | |
| Outros nomes | IRFH8202TRPBFCT IRFH8202TRPBF-ND SP001572718 IRFH8202TRPBFTR IRFH8202TRPBFDKR |
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