IRLS3813TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2288859-IRLS3813TRLPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRLS3813TRLPBF
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263AB) | |
| Número do produto base | IRLS3813 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 160A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 148A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8020 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 195W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001573098 IRLS3813TRLPBFDKR IRLS3813TRLPBFCT IRLS3813TRLPBFTR IRLS3813TRLPBF-ND |
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