TSM2314CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Número da pe?a NOVA:
312-2264943-TSM2314CX RFG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM2314CX RFG
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 4.9A (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23 | |
| Número do produto base | TSM2314 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) | |
| Outros nomes | TSM2314CX RFGTR 1801-TSM2314CXRFGCT TSM2314CXRFGDKR-ND TSM2314CX RFGTR-ND TSM2314CX RFGCT-ND TSM2314CXRFGTR 1801-TSM2314CXRFGTR TSM2314CXRFGTR-ND TSM2314CX RFGDKR-ND TSM2314CX RFGCT TSM2314CX RFGDKR TSM2314CXRFGDKR TSM2314CXRFGCT 1801-TSM2314CXRFGDKR TSM2314CXRFGCT-ND |
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