IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Número da pe?a NOVA:
312-2290429-IPD30N06S215ATMA2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD30N06S215ATMA2
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3-11 | |
| Número do produto base | IPD30N06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.7mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 55 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1485 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001061724 IPD30N06S215ATMA2DKR 2156-IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2TR IPD30N06S215ATMA2CT IPD30N06S215ATMA2-ND INFINFIPD30N06S215ATMA2 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TSM120N06LCP ROGTaiwan Semiconductor Corporation
IPD30N06S2-15Infineon Technologies
IRLR3915TRPBFInfineon Technologies- FDD5353onsemi