TPH8R903NL,LQ

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOP Advance (5x5)
Número do produto base	TPH8R903
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	U-MOSVIII-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.8 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	820 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	1.6W (Ta), 24W (Tc)
Outros nomes	TPH8R903NLLQCT TPH8R903NLLQDKR TPH8R903NLLQTR TPH8R903NL,LQ(S

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