NTS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Número da pe?a NOVA:
312-2281881-NTS2101PT1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTS2101PT1G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 8 V 1.4A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-70-3 (SOT323) | |
| Número do produto base | NTS2101 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-70, SOT-323 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 8 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 8 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 290mW (Ta) | |
| Outros nomes | 2156-NTS2101PT1G-OS NTS2101PT1GOSCT ONSONSNTS2101PT1G NTS2101PT1GOSTR NTS2101PT1GOSDKR |
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