RSQ020N03TR

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TSMT6 (SC-95)
Número do produto base	RSQ020
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	134mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.1 nC @ 5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	600mW (Ta)
Outros nomes	RSQ020N03DKR RSQ020N03CT

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