UF3C065080B7S

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SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7

Número da pe?a NOVA:

312-2278050-UF3C065080B7S

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

UF3C065080B7S

Embalagem padr?o:

800

N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	UnitedSiC
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D2PAK-7
Número do produto base	UF3C065080
Tecnologia	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 12 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	136.4W (Tc)
Outros nomes	2312-UF3C065080B7STR 2312-UF3C065080B7SCT 2312-UF3C065080B7SDKR