DMN1054UCB4-7
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Número da pe?a NOVA:
312-2273319-DMN1054UCB4-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMN1054UCB4-7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 8 V 2.7A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount X1-WLB0808-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | X1-WLB0808-4 | |
| Número do produto base | DMN1054 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-XFBGA, WLBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±5V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 8 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 908 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 740mW (Ta) | |
| Outros nomes | DMN1054UCB4-7DICT DMN1054UCB4-7DITR DMN1054UCB4-7DIDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SI8802DB-T2-E1Vishay Siliconix
SI8800EDB-T2-E1Vishay Siliconix
PMCM4402UPEZNexperia USA Inc.
EPC2040EPC
SI1050X-T1-GE3Vishay Siliconix
