TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2338279-TPH3208LD
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPH3208LD
Embalagem padr?o:
60
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-PQFN (8x8) | |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-PowerDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±18V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 96W (Tc) |
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