SUP90100E-GE3

N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Número da pe?a NOVA:
312-2298872-SUP90100E-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUP90100E-GE3
Embalagem padr?o:
500

N-Channel 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220AB
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.9mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3930 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.) 375W (Tc)
Outros nomes742-SUP90100E-GE3

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